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NCE70R900

更新时间： 2024-11-19 01:12:55

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新洁能 - NCEPOWER		/
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描述
N-Channel Super Junction Power MOSFET

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NCE70R900 数据手册

NCE70R900D，NCE70R900, NCE70R900F

N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅱ

General Description

The series of devices use advanced super junction

technology and design to provide excellent R^DS(ON)with low

gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s

AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power

conversion, and industrial power applications.

V_DS

700

840

mΩ

R_{DS(ON) TYP}

I_D

Features

●New technology for high voltage device

●Low on-resistance and low conduction losses

●small package

●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

●100% Avalanche Tested

●ROHS compliant

Application

● Power factor correction（PFC）

● Switched mode power supplies(SMPS)

● Uninterruptible Power Supply（UPS）

Schematic diagram

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

Marking

NCE70R900D

NCE70R900

NCE70R900F

TO-263

NCE70R900D

NCE70R900

NCE70R900F

TO-220

TO-220F

TO-263

TO-220

TO-220F

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

NCE70R900

NCE70R900D

Parameter

Symbol

NCE70R900F

Unit

700

Drain-Source Voltage (VGS=0V）

Gate-Source Voltage (VDS=0V)

V^DS

VGS

±30

Continuous Drain Current at Tc=25°C

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

Continuous Drain Current at Tc=100°C

(Note 1)

15*

Pulsed drain current

Drain Source voltage slope, VDS = 480 V, ID =5 A, Tj =

125 °C

dv/dt

P_D

V/ns

Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)

Derate above 25°C

Single pulse avalanche energy ^(Note2)

Avalanche current^{(Note 1)}

W/°C

0.39

0.23

135

2.5

EAS

I_AR

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

Page 1

http://www.ncepower.com

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