Datasheet > NCE40TD120VT

NCE40TD120VT

更新时间： 2024-04-09 18:59:04

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	2583K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCE40TD120VT 数据手册

Pb Free Product

NCE40TD120VT

Electrical Characteristics of the Diode (T_C= 25°C unless otherwise specified)

Value

Typ.

2.2

Symbol

Parameter

Conditions

Units

Min.

Max.

2.8

T_j=25°C

T_j=175°C

V_FM

Diode Forward Voltage

I_F=40A

2.0

T_rr

I_RRM

Q_rr

Reverse Recovery Time

180

V_R=600V,I_F=20A,

di/dt=500A/us

Diode Peak Reverse Recovery Current

Reverse Recovery Charge

0.9

T_rr

Reverse Recovery Time

324

V_R=600V,I_F=20A,

di/dt=500A/us,

T_j=175°C

I_RRM

Q_rr

Diode Peak Reverse Recovery Current

Reverse Recovery Charge

2.6

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V6.4

http://www.ncepower.com

1 234 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与NCE40TD120VT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NCE40TD120VTP	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE40TD120WT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE40TD120WW	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE40TD135LP	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE40TD135LT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE40TD60BP	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE40TD60BPF	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE40TD60BT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE40TD65B	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE40TD65BP	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje