型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NCE20TH60BP | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE210A10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator | |
NCE210E10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator | |
NCE211A10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator | |
NCE211E10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator | |
NCE216A10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator | |
NCE216E10K | ETC |
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Crystal Clock Oscillator | |
NCE2301 | NCEPOWER |
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NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | |
NCE2301A | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE2301B | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE |