Datasheet > NCE20TH60BF

NCE20TH60BF

更新时间： 2024-03-03 10:11:11

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	582K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（InjectionEnhance,IE）与场截止（FieldStop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCE20TH60BF 数据手册

PbFreeProduct

NCE20TH60BF

Typical Electrical and Thermal Characteristics（continued）

Figure 8 V_Fvs. temperature

Figure 7 Forward Characteristics

40A

Tj=25℃

Tj=125℃

IF = 20A

1.5V

1.0V

35A

30A

25A

20A

15A

10A

IF = 10A

IF = 5A

0.5V

0℃

50℃

100℃

150℃

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

VF, Forward Voltage Voltage

，Junction Temperature

Figure 10 Gate-emitter Threshold Voltage as a

Figure 9 Forward Bias Safe Operating

Function of Junction Temperature

100

I_C=1mA

tp=1us

4.5

3.5

0.1

100

125

150

175

100

1000

T_J, Junction Temperature (°C )

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

Figure 12 Typical Switching Times as a

Function of Junction Temperature

Figure 11 Typical Switching Times as a

Function of Gate Resistor

0.7

1.0

E_off

E_on

E_ts

E_off

E_on

E_ts

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

100

125

150

175

T_J, Junction Temperature (°C )

R_G, Gate Resistor (Ω)

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.1

http://www.ncepower.com

1 2 3 456 7 8

下载PDF

与NCE20TH60BF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCE20TH60BP	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje	获取价格
NCE210A10K	ETC	Crystal Clock Oscillator	获取价格
NCE210E10K	ETC	Crystal Clock Oscillator	获取价格
NCE211A10K	ETC	Crystal Clock Oscillator	获取价格
NCE211E10K	ETC	Crystal Clock Oscillator	获取价格
NCE216A10K	ETC	Crystal Clock Oscillator	获取价格