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NCE2301B

更新时间: 2024-10-29 17:01:23
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
7页 250K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE2301B 数据手册

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Pb Free Product  
http://www.ncepower.com  
NCE2301B  
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
D
The NCE2301B uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate  
voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a  
load switch or in PWM applications.  
G
S
General Features  
VDS = -20V,ID = -2.6A  
RDS(ON) < 160m@ VGS=-2.5V  
Schematic diagram  
RDS(ON) < 120m@ VGS=-4.5V  
High power and current handing capability  
Lead free product is acquired  
Surface mount package  
Marking and pin assignment  
Application  
PWM applications  
Load switch  
SOT-23 top view  
Tape width  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Quantity  
3000 units  
2301B  
NCE2301B  
SOT-23  
Ø180mm  
8 mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
-20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
V
VDS  
Gate-Source Voltage  
±12  
VGS  
Drain Current-Continuous  
Drain Current -Pulsed (Note 1)  
-2.6  
A
ID  
-13  
A
IDM  
Maximum Power Dissipation  
0.9  
W
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJA  
138  
/W  
Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=-250μA  
-20  
-
-
V
VDS=-20V,VGS=0V  
-
-1  
μA  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
v1.0  

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