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NCE20TD60B

更新时间: 2024-10-29 17:00:47
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 1099K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业

NCE20TD60B 数据手册

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Pb Free Product  
NCE20TD60B  
Typical Electrical and Thermal Characteristics  
Figure 7 Forward Characteristics  
Figure 8 VF vs. Temperature  
IF=20A  
10A  
5A  
150°C  
25°C  
TJ, Junction Temperature (°C)  
VF, Forward Voltage (V)  
Figure 10 Gate-emitter Threshold Voltage as a  
Function of Junction Temperature  
Figure 9 Forward Bias Safe Operating  
IC=1mA  
tp=1us  
VCE, Collector-Emitter Voltage (V)  
TJ, Junction Temperature (°C)  
Figure 12 Typical Switching Times as a  
Function of Junction Temperature  
Figure 11 Typical Switching Times as a  
Function of Gate Resistor  
Eoff  
Eon  
Ets  
Eoff  
Eon  
Ets  
Vce=400V,IC=20A  
Rg=25Ω  
VCC=400V  
IC=20A,Vg=15V  
G
TJ, Junction Temperature (°C)  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page  
V2.2  
5
http://www.ncepower.com  

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