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NCE20TD60B

更新时间: 2024-10-29 17:00:47
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 1099K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业

NCE20TD60B 数据手册

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Pb Free Product  
NCE20TD60B  
Thermal Characteristic  
Symbol  
Parameter  
Value  
0.92  
1.54  
62  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to case for IGBT  
Thermal Resistance, Junction to case for Diode  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Electrical Characteristics (TC=25°C unless otherwise noted)  
Rating  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Units  
Min.  
Typ.  
Max.  
Static Characteristics  
V(BR)CES  
ICES  
IGES(F)  
IGES(R)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Leakage Current  
Gate to Emitter Forward Leakage  
Gate to Emitter Reverse Leakage  
VGE=0V,ICE=1mA  
VGE =0V,VCE=600V  
VGE=+30V,VCE=0V  
VGE=-30V,VCE =0V  
600  
--  
--  
--  
--  
4
V
uA  
nA  
nA  
V
--  
--  
100  
100  
1.9  
--  
--  
--  
TJ=25°C  
--  
1.7  
1.9  
--  
IC=20A,  
VCE(sat)  
VGE(th)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Gate Threshold Voltage  
VGE=15V TJ=175°C  
--  
V
IC=1mA,VCE=VGE  
4.0  
6.0  
V
Dynamic Characteristics  
Cies  
Coes  
Cres  
Qg  
Input Capacitance  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
2580  
48  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
VCE=25V,VGE=0V,  
f=1MHz  
Output Capacitance  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
26  
97  
VCC=480V, IC=20A,  
VGE=15V  
Qge  
Qgc  
Gate to Emitter Charge  
Gate to Collector Charge  
17  
nC  
A
37  
Short circuit collector current Max.1000  
short circuits Time between short circuits:  
1.0s  
VGE=15V,VCC400V,  
SC5us,Tj150°C  
IC(SC)  
--  
130  
--  
t
Switching Characteristics  
td(ON) Turn-on Delay Time  
tr  
td(OFF)  
tf  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
18  
16  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
Rise Time  
ns  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
164  
15  
VCC=400V,IC=10A  
VGE=0/15V, Rg=25Ω  
Inductive Load  
Eon  
Eoff  
Ets  
Turn-On Switching Loss  
Turn-Off Switching Loss  
Total Switching Loss  
0.43  
0.17  
0.60  
mJ  
Electrical Characteristics of the Diode (TC= 25°C unless otherwise specified)  
Rating  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Units  
Min.  
Typ.  
1.75  
182  
5.3  
Max.  
2.4  
--  
VFM  
Trr  
Diode Forward Voltage  
IF=20A  
--  
--  
--  
--  
V
ns  
A
Reverse Recovery Time  
IF=20A,  
IRRM  
Qrr  
Diode Peak Reverse Recovery Current  
Reverse Recovery Charge  
--  
di/dt=200A/us  
0.5  
--  
uC  
Pulse width ttp≤380µs,δ≤2%  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page  
V2.2  
2
http://www.ncepower.com  

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