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MTP5N35

更新时间： 2024-11-25 20:49:39

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		/
页数	文件大小	规格书
1页	55K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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MTP5N35 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	350 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	80 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	75 W
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	150 ns	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTP5N40	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
MTP5N40	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MTP5N40	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MTP5N40E	MOTOROLA	获取价格	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
MTP5N40E	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MTP5N40EA	MOTOROLA	获取价格	5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP5N40EAF	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MTP5N40EC	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MTP5N40ED1	MOTOROLA	获取价格	5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP5N40EL	MOTOROLA	获取价格	5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB