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MTP60N06 PDF预览

MTP60N06

更新时间： 2024-01-05 23:55:38
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
8页 219K
描述
TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM

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MTP60N06 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.43
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：540 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTP60N06 数据手册

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by MTP60N06HD/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate  
TMOS POWER FET  
60 AMPERES  
60 VOLTS  
This advanced high–cell density HDTMOS power FET is  
designed to withstand high energy in the avalanche and commuta-  
tion modes. The new energy efficient design also offers a  
drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low  
voltage, high speed switching applications in power supplies,  
converters and PWM motor controls, these devices are particularly  
well suited for bridge circuits where diode speed and commutating  
safe operating areas are critical and offer additional safety margin  
against unexpected voltage transients.  
R
= 0.014 OHM  
DS(on)  
•
•
Avalanche Energy Specified  
Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Dis-  
crete Fast Recovery Diode  
•
•
Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
I
and V Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
D
G
CASE 221A–06, Style 5  
TO–220AB  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
Drain–Gate Voltage (R  
GS  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
60  
Gate–Source Voltage — Continuous  
— Non–Repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
± 20  
± 30  
Vdc  
Vpk  
GS  
V
GSM  
p
Drain Current — Continuous  
— Continuous @ 100°C  
— Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
I
60  
42.3  
180  
Adc  
Apk  
D
D
I
p
DM  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
P
D
150  
1.0  
Watts  
W/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
stg  
–55 to 175  
540  
°C  
J
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche Energy — Starting T = 25°C  
E
AS  
mJ  
J
(V  
DD  
= 25 Vdc, V = 10 Vdc, Peak I = 60 Apk, L = 0.3 mH, R = 25 Ω)  
GS L G  
Thermal Resistance — Junction to Case  
— Junction to Ambient  
R
R
1.0  
62.5  
°C/W  
°C  
θJC  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
E–FET, Designer’s and HDTMOS are trademarks of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTP60N06HD MOTOROLA

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 		TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM
MTP60N10E7L MOTOROLA

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 		60A, 100V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
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