5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP5N40EL | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP5N40EN | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| MTP5N40ES | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP5N40EU | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP5N40EU2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| MTP5N40EW | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| MTP5N40EWC | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP5N60 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| MTP5P06V | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.450 OHM |
|
| MTP5P18 | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 180V, 1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
