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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP50N06EU | MOTOROLA |
获取价格 |
50 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP50N06EUA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTP50N06EWC | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTP50N06V | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM |
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| MTP50N06V | ISC |
获取价格 |
isc N-Channel MOSFET Transistor |
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| MTP50N06V | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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| MTP50N06VL | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM |
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| MTP50P03HDL | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.025 OHM |
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| MTP50P03HDL | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220 |
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| MTP50P03HDLG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220 |
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