是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.32 |
其他特性: | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 406 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 52 A |
最大漏极电流 (ID): | 52 A | 最大漏源导通电阻: | 0.025 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 165 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 182 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP55N06 | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 18 mohm | |
MTP55N06Z | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 18 mohm | |
MTP55N10EL | MOTOROLA |
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55A, 100V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP5614N6 | CYSTEKEC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
MTP5N05 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
MTP5N05 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 50V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
MTP5N06 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
MTP5N06 | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 60V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP5N06E | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
MTP5N12 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 120V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |