5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MTP52N06VLG
MTP52N06VLG PDF预览

MTP52N06VLG

更新时间： 2024-02-02 23:54:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 94K
描述
52A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

MTP52N06VLG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：406 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：52 A
最大漏极电流 (ID)：52 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：165 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：182 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MTP52N06VLG 数据手册

 浏览型号MTP52N06VLG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MTP52N06VLG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MTP52N06VLG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MTP52N06VLG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MTP52N06VLG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MTP52N06VLG的Datasheet PDF文件第7页 
MTP52N06VL  
Preferred Device  
Power MOSFET  
52 Amps, 60 Volts, Logic Level  
N–Channel TO–220  
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the  
avalanche and commutation modes. Designed for low voltage, high  
speed switching applications in power supplies, converters and power  
motor controls, these devices are particularly well suited for bridge  
circuits where diode speed and commutating safe operating areas are  
critical and offer additional safety margin against unexpected voltage  
transients.  
http://onsemi.com  
52 AMPERES  
60 VOLTS  
R
= 25 mΩ  
DS(on)  
• Avalanche Energy Specified  
• I  
and V Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
N–Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Drain–to–Gate Voltage (R  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
DSS  
G
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
60  
GS  
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
S
V
± 15  
± 25  
Vdc  
Vpk  
GS  
– Non–repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
GSM  
p
Drain Current – Continuous  
Drain Current – Continuous @ 100°C  
Drain Current – Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
52  
41  
182  
Adc  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
D
I
D
I
Apk  
p
DM  
4
4
Drain  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
P
188  
1.25  
Watts  
W/°C  
D
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
stg  
–55 to  
175  
°C  
J
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
406  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C  
J
MTP52N06VL  
LLYWW  
(V  
= 25 Vdc, V  
= 5 Vdc, Peak  
DD  
GS  
= 52 Apk, L = 0.3 mH, R = 25 Ω)  
I
L
G
1
2
Thermal Resistance – Junction to Case  
Thermal Resistance – Junction to Ambient  
R
θJC  
R
θJA  
0.8  
62.5  
°C/W  
°C  
3
1
3
Gate  
Source  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10  
seconds  
T
L
260  
2
Drain  
MTP52N06VL = Device Code  
LL  
Y
= Location Code  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
Device  
MTP52N06VL  
Package  
Shipping  
50 Units/Rail  
TO–220AB  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 4  
MTP52N06VL/D  
12345678

中文翻译

下载PDF

与MTP52N06VLG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTP55N06 MOTOROLA

获取价格

 		TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 18 mohm
MTP55N06Z MOTOROLA

获取价格

 		TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 18 mohm
MTP55N10EL MOTOROLA

获取价格

 		55A, 100V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP5614N6 CYSTEKEC

获取价格

 		P-Channel Enhancement Mode MOSFET
MTP5N05 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MTP5N05 MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 50V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
MTP5N06 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MTP5N06 MOTOROLA

获取价格

 		5A, 60V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP5N06E NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MTP5N12 MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 120V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与MTP52N06VLG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证