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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 55 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 55 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 203 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 193 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP5614N6 | CYSTEKEC |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| MTP5N05 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| MTP5N05 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 50V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| MTP5N06 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| MTP5N06 | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 60V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP5N06E | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| MTP5N12 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 120V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP5N20 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTP5N2016 | MOTOROLA |
获取价格 |
5 A, 200 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP5N20A16A | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 200V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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