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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.9 |
| 其他特性： | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 120 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 100 ns | 最大开启时间（吨）： | 40 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP5N20 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTP5N2016 | MOTOROLA |
获取价格 |
5 A, 200 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP5N20A16A | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 200V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP5N20AF | MOTOROLA |
获取价格 |
5 A, 200 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP5N20AJ | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP5N20C | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP5N20D1 | MOTOROLA |
获取价格 |
5A, 200V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP5N20L | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP5N20N | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP5N20S | MOTOROLA |
获取价格 |
5 A, 200 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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