MTP50N06V

更新时间： 2024-02-26 03:26:35

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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MTP50N06V 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.3
雪崩能效等级（Eas）：	265 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	42 A	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	147 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTP50N06V 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc N-Channel MOSFET Transistor

MTP50N06V

FEATURES

·Drain Current –I_D=42A@ T_C=25℃

·Drain Source Voltage-

: V_DSS= 60V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: R_DS(on)= 0.028Ω(Max)

DESCRIPTION

·Designed for low voltage, high speed switching applications in

power supplies, converters and power motor controls, these

devices are particularly well suited for bridge circuits where

diode speed and commutating safe operating areas are critical

and offer additional safety margin against unexpected voltage

transients.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_DSS

V_GS

I_D

PARAMETER

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage-Continuous

Drain Current-Continuous

±20

I_DM

147

Drain Current-Single Pluse (t_p≤10μs)

Total Dissipation @T_C=25℃

P_D

125

℃

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_J

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

1.2

UNIT

℃/W

R_{th j-c}

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

R_{th j-a}

62.5

isc Website：www.iscsemi.cn

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与MTP50N06V相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MTP50N06VL	MOTOROLA	TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM	获取价格
MTP50P03HDL	MOTOROLA	TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.025 OHM	获取价格
MTP50P03HDL	ONSEMI	Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220	获取价格
MTP50P03HDLG	ONSEMI	Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220	获取价格
MTP50S	NELLSEMI	Three-Phase Bridge Rectifier, 50A	获取价格
MTP50W	NELLSEMI	Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier, 50A	获取价格