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MTP2N20

更新时间： 2024-01-26 18:03:23

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MTP2N20 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	1.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	50 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	50 W
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	45 ns
最大开启时间（吨）：	50 ns	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTP2N25	MOTOROLA	获取价格	2A, 250V, 2.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP2N35	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
MTP2N35	MOTOROLA	获取价格	2A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP2N35	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MTP2N40	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
MTP2N40	MOTOROLA	获取价格	2A, 400V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP2N40E	MOTOROLA	获取价格	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 3.5 OHM
MTP2N45	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MTP2N45	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
MTP2N50	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V