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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 50 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP2N60ES | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP2N60EU | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP2N60EU2 | MOTOROLA |
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2 A, 600 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP2N60EUA | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTP2N60EW | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP2N60EWC | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MTP2N80 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| MTP2N85 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 850V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP2N85 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| MTP2N90 | NJSEMI |
获取价格 |
XSTR N-CHL TMOS FET 2A 8OHM 900V TO-220 PKG |
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