生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.7 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (ID): | 2 A |
最大漏源导通电阻: | 3.8 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 50 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP2N60ES | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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MTP2N60EU | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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MTP2N60EU2 | MOTOROLA |
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2 A, 600 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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MTP2N60EUA | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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MTP2N60EW | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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MTP2N60EWC | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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MTP2N80 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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MTP2N85 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 850V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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MTP2N85 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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MTP2N90 | NJSEMI |
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XSTR N-CHL TMOS FET 2A 8OHM 900V TO-220 PKG |
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