5秒后页面跳转
MTP2N60EU2 PDF预览

MTP2N60EU2

更新时间: 2024-02-27 10:55:46
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
2 A, 600 V, 3.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

MTP2N60EU2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.69
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:3.8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:50 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MTP2N60EU2 数据手册

 浏览型号MTP2N60EU2的Datasheet PDF文件第2页 

与MTP2N60EU2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTP2N60EUA MOTOROLA

获取价格

暂无描述
MTP2N60EW MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTP2N60EWC MOTOROLA

获取价格

暂无描述
MTP2N80 NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MTP2N85 MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 850V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MTP2N85 NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
MTP2N90 NJSEMI

获取价格

XSTR N-CHL TMOS FET 2A 8OHM 900V TO-220 PKG
MTP2N90 MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
MTP2P4516 MOTOROLA

获取价格

2 A, 450 V, 6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP2P45A MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 450V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o