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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP2N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V |
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| MTP2N40 | MOTOROLA |
获取价格 |
2A, 400V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP2N40E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 3.5 OHM |
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| MTP2N45 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP2N45 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
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| MTP2N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
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| MTP2N50 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP2N50 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,2A I(D),TO-220AB |
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| MTP2N50E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM |
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| MTP2N55 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 550V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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