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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP2N50E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM |
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| MTP2N55 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 550V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTP2N60 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS |
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| MTP2N60E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS |
|
| MTP2N60E16 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP2N60EA | MOTOROLA |
获取价格 |
2A, 600V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP2N60EA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
2A, 600V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP2N60EAF | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MTP2N60EAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTP2N60EC | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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