生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.74 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 75 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP29N15E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 29 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.07 OHM | |
MTP29N15E | ONSEMI |
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Power MOSFET 29 Amps, 150 Volts N-Channel TO-220 | |
MTP2N18 | NJSEMI |
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N-Channel Power MOSFETs 3.5 A, 150-200 V | |
MTP2N20 | MOTOROLA |
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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE | |
MTP2N20 | NJSEMI |
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N-Channel Power MOSFETs 3.5 A, 150-200 V | |
MTP2N25 | MOTOROLA |
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2A, 250V, 2.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP2N35 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V | |
MTP2N35 | MOTOROLA |
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2A, 350V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP2N35 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
MTP2N40 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V |