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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> MTP29N15E
MTP29N15E PDF预览

MTP29N15E

更新时间： 2024-10-01 22:11:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 79K
描述
TMOS POWER FET 29 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.07 OHM

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MTP29N15E 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.38
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：421 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：29 A最大漏极电流 (ID)：29 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：102 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTP29N15E 数据手册

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by MTP29N15E/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate  
TMOS POWER FET  
This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high  
energy in the avalanche and commutation modes. The new energy  
efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast  
recovery time. Designed for low voltage, high speed switching  
applications in power supplies, converters and PWM motor  
controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits  
where diode speed and commutating safe operating areas are  
critical and offer additional safety margin against unexpected  
voltage transients.  
29 AMPERES  
150 VOLTS  
R
= 0.07 OHM  
DS(on)  
•
•
Avalanche Energy Specified  
Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a  
Discrete Fast Recovery Diode  
•
•
Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
N–Channel  
I
and V  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
D
G
CASE 221A–06,  
TO–220AB  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–to–Source Voltage  
V
DSS  
Drain–to–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
150  
GS  
Gate–to–Source Voltage — Continuous  
Gate–to–Source Voltage — Non–Repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
± 20  
± 40  
Vdc  
Vpk  
GS  
V
GSM  
p
Drain Current — Continuous  
Drain Current — Continuous @ 100°C  
Drain Current — Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
I
29  
19  
102  
Adc  
Apk  
D
D
I
p
DM  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
P
D
125  
1.0  
Watts  
W/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
stg  
–55 to 150  
421  
°C  
J
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche Energy — STARTING T = 25°C  
E
AS  
mJ  
J
(V  
DD  
= 25 Vdc, V  
= 10 Vdc, PEAK I = 29 Apk, L = 1.0 mH, R = 25  
)
GS  
L
G
Thermal Resistance — Junction to Case  
Thermal Resistance — Junction to Ambient  
R
R
1.0  
62.5  
°C/W  
°C  
θJC  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
E–FET is a trademark of Motorola, Inc. TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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