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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIMM | 包装说明： | DIMM-168 |
| 针数： | 168 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.28 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 50 ns | 其他特性： | CAS BEFORE RAS REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 |
| JESD-609代码： | e4 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 168 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM168 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.704 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | GOLD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT8LDT864AG-6 | ETC |
获取价格 |
x64 Fast Page Mode DRAM Module |
|
| MT8LDT864AG-6X | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| MT8LDT864HS | MICRON |
获取价格 |
SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
|
| MT8LDT864HX | MICRON |
获取价格 |
SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
|
| MT8LDT864HXS | MICRON |
获取价格 |
SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
|
| MT8LSDT1664 | MICRON |
获取价格 |
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE |
|
| MT8LSDT1664H | MICRON |
获取价格 |
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE |
|
| MT8LSDT1664HG-10C | MICRON |
获取价格 |
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE |
|
| MT8LSDT1664HG-10E | MICRON |
获取价格 |
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE |
|
| MT8LSDT1664HG-662 | MICRON |
获取价格 |
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE |
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