5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MT16HTF25664AY-667E1
MT16HTF25664AY-667E1 PDF预览

MT16HTF25664AY-667E1

更新时间： 2024-09-15 12:55:35
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
24页 460K
描述
512MB, 1GB, 2GB, 4GB (x64, DR) 240-Pin DDR2 UDIMM

阅读下载

中文翻译

获取价格

MT16HTF25664AY-667E1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM,
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.64Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-XDMA-N240JESD-609代码：e4
长度：133.35 mm内存密度：17179869184 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：64
功能数量：1端口数量：1
端子数量：240字数：268435456 words
字数代码：256000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256MX64封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Gold (Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：30.175 mm
Base Number Matches：1

MT16HTF25664AY-667E1 数据手册

 浏览型号MT16HTF25664AY-667E1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MT16HTF25664AY-667E1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MT16HTF25664AY-667E1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MT16HTF25664AY-667E1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MT16HTF25664AY-667E1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MT16HTF25664AY-667E1的Datasheet PDF文件第7页 
512MB, 1GB, 2GB, 4GB (x64, DR) 240-Pin DDR2 UDIMM  
Features  
DDR2 SDRAM UDIMM  
MT16HTF6464AY – 512MB  
MT16HTF12864AY – 1GB  
MT16HTF25664AY – 2GB  
MT16HTF51264AY – 4GB  
Figure 1: 240-Pin UDIMM (MO-237 R/C B and E)  
Features  
Module height: 30.0mm (1.18in)  
240-pin, unbuffered dual in-line memory module  
•
•
Fast data transfer rates: PC2-8500, PC2-6400,  
PC2-5300, PC2-4200, or PC2-3200  
512MB (64 Meg x 64), 1GB (128 Meg x 64),  
2GB (256 Meg x 64), 4GB (512 Meg x 64)  
•
VDD = VDDQ 1.8V  
•
•
•
•
•
•
Options  
Marking  
VDDSPD = 1.7–3.6V  
Operating temperature  
– Commercial (0°C ≤ TA ≤ +70°C)  
– Industrial (–40°C ≤ TA ≤ +85°C)1  
Package  
•
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)  
Differential data strobe (DQS, DQS#) option  
4n-bit prefetch architecture  
None  
I
•
•
Multiple internal device banks for concurrent  
operation  
240-pin DIMM (lead-free)  
Y
–
Frequency/CL2  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
1.875ns @ CL = 7 (DDR2-1066)3  
2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)4  
2.5ns @ CL = 6 (DDR2-800)4  
3ns @ CL = 5 (DDR2-667)  
-1GA  
-80E  
-800  
-667  
-53E  
-40E  
Programmable CAS latency (CL)  
Posted CAS additive latency (AL)  
WRITE latency = READ latency - 1 tCK  
Programmable burst lengths (BL): 4 or 8  
Adjustable data-output drive strength  
64ms, 8192-cycle refresh  
–
–
–
–
–
–
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-5335  
5.0ns @ CL = 3 (DDR2-400)5  
1. Contact Micron for industrial temperature  
module offerings.  
Notes:  
On-die termination (ODT)  
Serial presence detect (SPD) with EEPROM  
Gold edge contacts  
2. CL = CAS (READ) latency.  
3. Available only in 2GB, Rev. E devices.  
4. Not available in 512MB, 4GB module density.  
5. Not recommended for new designs.  
Dual rank  
Table 1: Key Timing Parameters  
Data Rate (MT/s)  
Speed  
Grade  
Industry  
Nomenclature  
tRCD  
(ns)  
tRP  
(ns)  
tRC  
(ns)  
CL = 7  
CL = 6  
CL = 5  
667  
800  
667  
667  
–
CL = 4  
CL = 3  
400  
-1GA  
-80E  
-800  
-667  
-53E  
-40E  
PC2-8500  
PC2-6400  
PC2-6400  
PC2-5300  
PC2-4200  
PC2-3200  
1066  
800  
800  
800  
–
533  
533  
533  
553  
553  
400  
13.125  
12.5  
15  
13.125  
12.5  
15  
58.125  
57.5  
60  
400  
400  
400  
15  
15  
60  
400  
15  
15  
55  
–
400  
15  
15  
55  
–
–
PDF: 09005aef80f09084  
htf16c64_128_256x64ay.pdf - Rev. G 3/10 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
1234567...24

中文翻译

下载PDF

与MT16HTF25664AY-667E1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MT16HTF25664AY-80E MICRON

获取价格

 		DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM
MT16HTF6464A MICRON

获取价格

 		DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM
MT16HTF6464AY MICRON

获取价格

 		DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM
MT16HTF6464AY-40E MICRON

获取价格

 		DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM
MT16HTF6464AY-53E MICRON

获取价格

 		DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM
MT16HTF6464AY-667 MICRON

获取价格

 		DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM
MT16KTF1G64AZ MICRON

获取价格

 		1.35V DDR3L SDRAM SODIMM
MT16KTF1G64HZ MICRON

获取价格

 		1.35V DDR3L SDRAM SODIMM
MT16KTF1G64HZ-1G9 MICRON

获取价格

 		Rev. L
MT16KTF51264HZ MICRON

获取价格

 		1.35V DDR3L SDRAM SODIMM

与MT16HTF25664AY-667E1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证