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MT16HTF6464AY-53E

更新时间： 2024-09-16 00:47:55

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镁光 - MICRON		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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描述
DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM

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MT16HTF6464AY-53E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDMA-N240
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	端子数量：	240
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	55 °C	最低工作温度：
组织：	64MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM240,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
最大待机电流：	0.08 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.72 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MT16HTF6464AY-53E 数据手册

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512MB, 1GB, 2GB: (x64, DR) 240-Pin DDR2 SDRAM UDIMM

Features

DDR2 SDRAM Unbuffered DIMM

MT16HTF6464A – 512MB

MT16HTF12864A – 1GB

MT16HTF25664A – 2GB

For component specifications, refer to the Micron’s Web site: www.micron.com/ddr2

Figure 1:

240-Pin DIMM (MO-237 R/C “B”)

Features

• 240-pin, unbuffered, dual in-line memory module

(UDIMM)

PCB height: 29.97mm (1.18in)

• Fast data transfer rates: PC2-3200, PC2-4200, PC2-

5300, or PC2-6400

• 512MB (64 Meg x 64), 1GB (128 Meg x 64), and 2GB

(256 Meg x 64)

• VDD = VDDQ = +1.8V

• VDDSPD = +1.7V to +3.6V

• JEDEC standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)

• Differential data strobe (DQS, DQS#) option

• Four-bit prefetch architecture

• DLL to align DQ and DQS transitions with CK

• Multiple internal device banks for concurrent

operation

Options

• Package

240-pin DIMM (lead-free)

• Frequency/CL

2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)

3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)

3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)

5.0ns @ CL = 3 (DDR2-400)

• PCB height

Marking

-80E

-667

-53E

-40E

• Programmable CAS latency (CL)

• Posted CAS additive latency (AL)

• WRITE latency = READ latency - 1 CK

• Programmable burst lengths: 4 or 8

• Adjustable data-output drive strength

• 64ms, 8,192-cycle refresh

• On-die termination (ODT)

• Serial presence-detect (SPD) with EEPROM

• Gold edge contacts

29.97mm (1.18in)

Notes: 1. CL = CAS (READ) latency.

2. Not available in 512MB density.

3. Not available in 2GB density.

• Dual rank

PDF: 09005aef80f09084/Source: 09005aef80f09068

HTF16C64_128_256x64AG.fm - Rev. D 5/06 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MT16KTF51264HZ	MICRON	获取价格	1.35V DDR3L SDRAM SODIMM
MT16LD1664A	MICRON	获取价格	DRAM MODULE
MT16LD1664AG-5X	MICRON	获取价格	DRAM MODULE
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