是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM-168 |
针数: | 168 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
备用内存宽度: | 32 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 168 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM168 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 2.72 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT16LD1664AG-6X | MICRON |
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DRAM MODULE | |
MT16LD464AG-52B | ETC |
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x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module | |
MT16LD464AG-5X | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
MT16LD464AG-6 | ETC |
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x64 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT16LD464AG-60B | ETC |
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x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module | |
MT16LD464AG-6X | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
MT16LD464AG-7 | ETC |
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x64 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT16LD464AG-7X | ETC |
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x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
MT16LD464G-5B | ETC |
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x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module | |
MT16LD464G-5BN | ETC |
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x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |