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MRF6S19060N

更新时间： 2022-12-21 02:52:00
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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16页 613K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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TYPICAL CHARACTERISTICS  
−10  
Ideal  
V
= 28 Vdc, P = 60 W (PEP), I = 610 mA  
out DQ  
53  
51  
DD  
Two−Tone Measurements  
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz  
P3dB = 49.503 dBm (89.19 W)  
−20  
−30  
−40  
−50  
−60  
P1dB = 48.792 dBm (75.72 W)  
49  
47  
Actual  
3rd Order  
45  
43  
41  
39  
5th Order  
7th Order  
V
DD  
= 28 Vdc, I = 610 mA  
DQ  
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)  
f = 1960 MHz  
23  
25  
27  
29  
31  
33  
35  
37  
0.1  
1
10  
100  
P , INPUT POWER (dBm)  
in  
TWO−TONE SPACING (MHz)  
Figure 7. Intermodulation Distortion Products  
versus Tone Spacing  
Figure 8. Pulse CW Output Power versus  
Input Power  
60  
−10  
25_C  
85_C  
25_C  
V
= 28 Vdc, I = 610 mA  
DQ  
−30_C  
DD  
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz  
2−Carrier N−CDMA, 2.5 MHz Carrier  
Spacing, 1.2288 MHz Channel Bandwidth  
50  
40  
30  
20  
10  
0
−20  
−30  
−40  
25_C  
−30_C  
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)  
85_C  
η
D
−30_C  
ACPR  
IM3  
−50  
−60  
−70  
T = −30_C  
C
G
ps  
85_C  
25_C  
1
10  
100  
P , OUTPUT POWER (WATTS) AVG.  
out  
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power Gain  
and Drain Efficiency versus Output Power  
17  
16  
15  
14  
19  
18  
17  
70  
60  
50  
40  
I
= 610 mA  
f = 1960 MHz  
DQ  
−30_C  
T = −30_C  
C
25_C  
η
D
16  
15  
14  
85_C  
G
ps  
30  
20  
85_C  
16 V  
20 V  
28 V  
80  
V
= 28 Vdc  
= 610 mA  
13  
12  
DD  
24 V  
60  
32 V  
10  
0
13  
12  
I
DQ  
f = 1960 MHz  
V
DD  
= 12 V  
20  
0
40  
100  
1
10  
, OUTPUT POWER (WATTS) CW  
100  
P
out  
P , OUTPUT POWER (WATTS) CW  
out  
Figure 11. Power Gain versus Output Power  
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency  
versus CW Output Power  
MRF6S19060NR1 MRF6S19060NBR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
6
1...3456789...16

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