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MRF5S9070MR1

更新时间： 2024-11-15 19:57:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 600K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270, PLASTIC, CASE 1265-08, 2 PIN

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MRF5S9070MR1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-270包装说明：FLATPACK, R-PDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.14外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：68 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-270JESD-30 代码：R-PDFP-F2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：219 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF5S9070MR1 数据手册

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Document Number: MRF5S9070MR1  
Rev. 5, 5/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Replaced by MRF5S9070NR1. There are no form, fit or function changes with this part  
replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead-free  
terminations.  
MRF5S9070MR1  
RF Power Field Effect Transistor  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET  
Designed for broadband commercial and industrial applications with  
frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of  
this device make it ideal for large-signal, common-source amplifier applica-  
tions in 26 volt base station equipment.  
880 MHz, 70 W, 26 V  
SINGLE N-CDMA  
LATERAL N-CHANNEL  
BROADBAND  
• Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz, VDD = 26 Volts,  
I
DQ = 600 mA, Pout = 14 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,  
RF POWER MOSFET  
Traffic Codes 8 Through 13)  
Power Gain — 17.8 dB  
Drain Efficiency — 30%  
ACPR @ 750 kHz Offset — -47 dBc @ 30 kHz Bandwidth  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 70 Watts CW  
Output Power  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• Integrated ESD Protection  
• 200°C Capable Plastic Package  
CASE 1265-08, STYLE 1  
TO-270-2  
PLASTIC  
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
- 0.5, +68  
- 0.5, +15  
DSS  
V
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
219  
1.25  
W
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Table 2. Thermal Characteristics  
(1)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Case Temperature 80°C, 70 W CW  
Case Temperature 78°C, 14 W CW  
R
θ
JC  
°C/W  
0.80  
0.93  
Table 3. ESD Protection Characteristics  
Test Methodology  
Class  
Human Body Model (per JESD22-A114)  
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)  
Charge Device Model (per JESD22-C101)  
2 (Minimum)  
A (Minimum)  
IV (Minimum)  
Table 4. Moisture Sensitivity Level  
Test Methodology  
Rating  
Package Peak Temperature  
Unit  
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020  
1
260  
°C  
1. Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09
MRF5S9080NBR1,528 NXP

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