MRF5S21130S

更新时间： 2024-11-14 04:14:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF5S21130S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	315 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF5S21130S 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF5S21130/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

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Designed for W–CDMA base station applications at frequencies from 2110

to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applica-

tions. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL

applications.

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2170 MHz, 28 W AVG.,

2 x W–CDMA, 28 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Typical 2–carrier W–CDMA Performance for V_DD= 28 Volts,

I_DQ= 1200 mA, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz, Channel Bandwidth =

3.84 MHz, Adjacent Channels Measured over 3.84 MHz BW @ f1 –5 MHz

and f2 +5 MHz, Distortion Products Measured over a 3.84 MHz BW

@ f1 –10 MHz and f2 +10 MHz, Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability

on CCDF.

Output Power — 28 Watts Avg.

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 26%

IM3 — –37 dBc

ACPR — –39 dBc

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

CASE 465B–03, STYLE 1

NI–880

MRF5S21130

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 92 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• Qualified Up to a Maximum of 32 V_DDOperation

• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465C–02, STYLE 1

NI–880S

MRF5S21130S

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

315

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

CW Operation

–65 to +150

°C

stg

200

Watts

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 0

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...12

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MRF5S21150	FREESCALE	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150HR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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