MRF3866

更新时间： 2024-01-02 10:39:15

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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MRF3866 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	800 MHz	Base Number Matches：	1

MRF3866 数据手册

MRF3866

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE

The ASI MRF3866 is Designed for

General Purpose Amplifier and

Oscillator Applications.

MAXIMUM RATINGS

400 mA

30 V

I_C

V_CE

V_CB

V_EB

P_DISS

T_J

55 V

3.5 V

1.0 W @ T_C= 100 °C

-55 °C to +150 °C

125 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 5.0 mA

I_C= 100 µA

I_E= 100 µA

V_CB= 28 V

V_CE= 5.0 V

BV_CBO

BV_EBO

I_CEO

3.5

µA

I_C= 360 mA

I_C= 50 mA

5.0

h_FE

V_CE(sat)

C_OB

f_t

---

_CE= 5.0 V

200

250

I_C= 100 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 15 V

I_B= 20 mA

f = 1.0 MHz

f = 200 MHz

3.0

I_C= 50 mA

800

MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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MRF3866 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE311	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor Frequency Multiplier, Driver, VHF/UHF
2N3866A	MICROSEMI	功能相似	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
2N3866	MICROSEMI	功能相似	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

与MRF3866相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF3866G	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF3866G	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF3866GR1	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF3866GR2	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF3866R1	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF3866R1	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
MRF3866R1G	MICROSEMI	获取价格	Transistor
MRF3866R2	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF3866R2G	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
MRF390	MOTOROLA	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN