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MRF392

更新时间： 2024-02-22 13:47:00

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	149K
描述
BROADBAND PUSH-PULL RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF392 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
最大集电极电流 (IC)：	16 A	基于收集器的最大容量：	95 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	270 W	最大功率耗散 (Abs)：	270 W
最小功率增益 (Gp)：	8 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF392 数据手册

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by MRF392/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

Designed primarily for wideband large–signal output and driver amplifier

stages in the 30 to 500 MHz frequency range.

•

Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics —

Output Power = 125 W

125 W, 30 to 500 MHz

Typical Gain = 10 dB

Efficiency = 55% (Typ)

CONTROLLED “Q”

BROADBAND PUSH–PULL

RF POWER TRANSISTOR

NPN SILICON

•

Built–In Input Impedance Matching Networks for Broadband Operation

Push–Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics

Gold Metallization System for High Reliability

100% Tested for Load Mismatch

Circuit board photomaster available upon request by

contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

5, 8

1, 4

CASE 744A–01, STYLE 1

The MRF392 is two transistors in a single package with separate base and collector leads

and emitters common. This arrangement provides the designer with a space saving

device capable of operation in a push–pull configuration.

PUSH–PULL TRANSISTORS

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

CEO

CBO

EBO

4.0

Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)

Derate above 25°C

270

1.54

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

NOTE:

Symbol

Max

Unit

0.65

°C/W

θJC

1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF push–pull

amplifier.

REV 8

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1997

MRF392

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF393	MACOM	功能相似	Bipolar
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MRF393	TE	获取价格	The RF Line NPN Silicon Push-Pull RF Power Transistor
MRF393	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 30V 16A 8-Pin Case 744A-01
MRF393	MACOM	获取价格	Bipolar
MRF39RA	MICROCHIP	获取价格	Low-Power, Integrated UHF Receiver
MRF39RAT-I/LY	MICROCHIP	获取价格	Low-Power, Integrated UHF Receiver
MRF4	BEL	获取价格	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series
MRF400	BEL	获取价格	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series
MRF401	MOTOROLA	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS
MRF403	NKK	获取价格	Half-Inch Diameter Process Sealed Rotaries

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