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MRF393

更新时间： 2024-02-06 19:27:56
品牌 Logo 应用领域
泰科 - TE 晶体晶体管射频
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
The RF Line NPN Silicon Push-Pull RF Power Transistor

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MRF393 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.13其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：16 A基于收集器的最大容量：95 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F8
元件数量：2端子数量：8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF393 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF393/D  
The RF Line  
. . . designed primarily for wideband large–signal output and driver amplifier  
stages in the 30 to 500 MHz frequency range.  
•
Specified 28 Volt, 500 MHz Characteristics —  
Output Power = 100 W  
100 W, 30 to 500 MHz  
Typical Gain = 9.5 dB (Class AB); 8.5 dB (Class C)  
Efficiency = 55% (Typ)  
CONTROLLED “Q”  
BROADBAND PUSH–PULL  
RF POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
•
•
•
Built–In Input Impedance Matching Networks for Broadband Operation  
Push–Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics  
Gold Metallization System for High Reliability  
100% Tested for Load Mismatch  
2
6
5, 8  
1, 4  
3
7
CASE 744A–01, STYLE 1  
The MRF393 is two transistors in a single package with separate base and collector leads  
and emitters common. This arrangement provides the designer with a space saving  
device capable of operation in a push–pull configuration.  
PUSH–PULL TRANSISTORS  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
4.0  
16  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
270  
1.54  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
NOTE:  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.65  
°C/W  
θJC  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF push–pull  
amplifier.  
REV 7  
1
1234

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