MRF393

更新时间： 2024-01-28 05:16:58

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频双极晶体管
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4页	122K
描述
BROADBAND PUSH-PULL RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF393 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	16 A
基于收集器的最大容量：	95 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	270 W
最大功率耗散 (Abs)：	270 W	最小功率增益 (Gp)：	7.5 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF393 数据手册

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by MRF393/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

. . . designed primarily for wideband large–signal output and driver amplifier

stages in the 30 to 500 MHz frequency range.

•

Specified 28 Volt, 500 MHz Characteristics —

Output Power = 100 W

100 W, 30 to 500 MHz

Typical Gain = 9.5 dB (Class AB); 8.5 dB (Class C)

Efficiency = 55% (Typ)

CONTROLLED “Q”

BROADBAND PUSH–PULL

RF POWER TRANSISTOR

NPN SILICON

•

Built–In Input Impedance Matching Networks for Broadband Operation

Push–Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics

Gold Metallization System for High Reliability

100% Tested for Load Mismatch

Circuit board photomaster available upon request by

contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

5, 8

1, 4

CASE 744A–01, STYLE 1

The MRF393 is two transistors in a single package with separate base and collector leads

and emitters common. This arrangement provides the designer with a space saving

device capable of operation in a push–pull configuration.

PUSH–PULL TRANSISTORS

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

CEO

CBO

EBO

4.0

Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)

Derate above 25°C

270

1.54

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

NOTE:

Symbol

Max

Unit

0.65

°C/W

θJC

1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF push–pull

amplifier.

REV 7

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1997

MRF393

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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MRF392	MACOM	功能相似	Bipolar

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