MRF3866R2

更新时间： 2024-01-30 23:40:12

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管射频微波光电二极管放大器
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6页	147K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF3866R2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
基于收集器的最大容量：	2 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1000 MHz
Base Number Matches：	1

MRF3866R2 数据手册

MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

*G Denotes RoHS Compliant, Pb free Terminal Finish

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

•

Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz

Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

Cost Effective MacroX Package

Macro X

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

MRF581

MRF581A

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

200

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 50ºC

Derate above 50ºC

2.5

Watts

mW/ ºC

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.25

Watts

mW/ ºC

Storage Junction Temperature Range

Tstg

-65 to +150

150

ºC

Maximum Junction Temperature

T_Jmax

Revision A- December 2008

Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at www.microsemi.com or contact our factory direct.

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