MRF3866R1

更新时间： 2024-02-12 02:40:25

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
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描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF3866R1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	基于收集器的最大容量：	2 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	5	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
端子数量：	8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1000 MHz	Base Number Matches：	1

MRF3866R1 数据手册

MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

*G Denotes RoHS Compliant, Pb free Terminal Finish

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

•

Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz

Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

Cost Effective MacroX Package

Macro X

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

MRF581

MRF581A

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.5

200

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TC = 50ºC

Derate above 50ºC

2.5

Watts

mW/ ºC

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

1.25

Watts

mW/ ºC

Storage Junction Temperature Range

Tstg

-65 to +150

150

ºC

Maximum Junction Temperature

T_Jmax

Revision A- December 2008

Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at www.microsemi.com or contact our factory direct.

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