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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PQSO-N4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PQSO-N4 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 62.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF151A | TE |
获取价格 |
The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
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| MRF151A | MACOM |
获取价格 |
MOSFET |
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| MRF151BD | MACOM |
获取价格 |
RF Power MOSFET Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET |
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| MRF151D | MACOM |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET |
|
| MRF151G | ASI |
获取价格 |
RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR |
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| MRF151G | MOTOROLA |
获取价格 |
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET |
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| MRF151G | TE |
获取价格 |
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET |
|
| MRF151G | MACOM |
获取价格 |
1 RF Power MSOFET Transistor 300 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET |
|
| MRF151MP | ASI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MRF151MQ | ASI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor |
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