MRF136

更新时间： 2024-11-07 10:47:35

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描述
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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MRF136 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF136 数据手册

MRF136

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

The ASI MRF136 is a N-Channel

Enhancement MOSFET, Designed for

Wideband Large Signal Amplifier

Applications up to 400 MHz.

MAXIMUM RATINGS

2.5 A

65 V

I_D

V_DSS

P_DISS

T_J

50 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

3.6 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = DRAIN

2 = GATE

3 & 4 = SOURCE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

V_(BR)DSS

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_D= 5.0 mA

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

V_GS= 0 V

V_GS= 40 V

V_DS= 10 V

2.0

1.0

6.0

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

g_fs

µA

I_D= 25 mA

I_D= 250 mA

1.0

3.0

250

400

mmhos

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

5.5

1.0

V_DS= 28 V

I_D= 0.5 A

f = 150 MHz

V_DD= 28 V

I_DQ= 25 mA

P_out= 15 W

G_ps

V_DD= 28 V

P_out= 15 W

f = 150 MHz

NO DEGRADATION IN OUTPUT POWER

I_DQ= 25 mA VSWR 30:1 @ ALL PHASE ANGLES

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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MRF136 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF166C	MACOM	功能相似	The RF MOSFET Line 20W, 500MHz, 28V
MRF171A	MACOM	功能相似	The RF MOSFET Line 45W, 150MHz, 28V
SD2903	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

与MRF136相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF136Y	TE	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
MRF136Y	MACOM	获取价格	The RF MOSFET Line 30W, to 400MHz, 28V
MRF136Y	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 5-Pin Case 319B-02
MRF137	ASI	获取价格	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MRF137	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
MRF137	TE	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
MRF137	MACOM	获取价格	The RF MOSFET Line 30W, to 400MHz, 28V
MRF1375	MOTOROLA	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
MRF13750H	NXP	获取价格	RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V
MRF13750HS	NXP	获取价格	RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V

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