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MRF140

更新时间： 2024-11-19 14:54:51

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MACOM		/
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11页	796K
描述
The RF MOSFET Line 30W, to 400MHz, 28V

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MRF140 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CASE 211-11, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.55
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF140 数据手册

MRF140

The RF MOSFET Line

150W, to 150MHz, 28V

Rev. V1

Product Image

Designed primarily for linear large–signal output stages up to

150 MHz frequency range.

N–Channel enhancement mode



Specified 28 volts, 30 MHz characteristics

Output power = 150 watts

Power gain = 15 dB (Typ.)

Efficiency = 40% (Typ.)



Superior high order IMD

IMD(d3) (150 W PEP): –30 dB (Typ.)

IMD(d11) (150 W PEP): –60 dB (Typ.)

100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 VSWR

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MRF140 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF174	MACOM	类似代替	The RF MOSFET Line 125W, 200MHz
MRF173	MACOM	类似代替	The RF MOSFET Line 80W, 175MHz, 28V
MRF173CQ	MACOM	功能相似	The RF MOSFET Line 80W, 175MHz, 28V

与MRF140相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF141	ASI	获取价格	RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR
MRF141	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF141	TE	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF141	MACOM	获取价格	RF Power MOSFET 150W, to 175MHz, 28V
MRF141G	ASI	获取价格	RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR
MRF141G	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF141G	TE	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF141G	MACOM	获取价格	TMOS
MRF141G	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 5-Pin Case 375-04
MRF14-4J-CH	HRS	获取价格	CONN COAX 4POS JACK