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MRF136Y

更新时间： 2024-02-15 16:55:49
品牌 Logo 应用领域
泰科 - TE 射频
页数 文件大小 规格书
9页 222K
描述
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET

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MRF136Y 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：65 V
最大漏极电流 (ID)：5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF136Y 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
by MRF136Y/D  
The RF MOSFET Line  
R
F
P
o
w
e
r
M RF 1 36 Y  
F
i
e
l
d
a
-
n
E
n
f
f
e
c
t
Tr ans is to r  
o
N
-
C
h
e
l
E
n
h
a
n
c
e
m
e
n
t
-
M
d
e
M
O
S
F
E
T
Designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up to  
400 MHz range, in either single ended or push–pull configuration.  
•
Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance  
Output Power = 30 Watts  
30 W, to 400 MHz  
N–CHANNEL  
Broadband Gain = 14 dB (Typ)  
Efficiency = 54% (Typical)  
MOS BROADBAND  
RF POWER FET  
•
•
Small–Signal and Large–Signal  
Characterization  
100% Tested For Load  
Mismatch At All Phase  
Angles With 30:1 VSWR  
D
•
•
•
Space Saving Package For  
Push–Pull Circuit  
Applications  
G
G
S
(F LA NG E )  
Excellent Thermal Stability,  
Ideally Suited For Class A  
Operation  
CASE 319B–02, STYLE 1  
Facilitates Manual Gain  
Control, ALC and  
D
Modulation Techniques  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
65  
Vdc  
Drain–Gate Voltage (R = 1.0 MΩ)  
V
65  
±40  
5.0  
Vdc  
Vdc  
Adc  
GS  
DGR  
Gate–Source Voltage  
V
GS  
Drain Current — Continuous  
I
D
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
100  
Watts  
C
Derate above 25°C  
0.571  
W/°C  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.75  
°C/W  
θ
JC  
Handling and Packaging — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 0  
1
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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