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MRF137

更新时间： 2024-09-16 22:45:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
10页 199K
描述
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET

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MRF137 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.16Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：O-CRFM-F4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：100 W最小功率增益 (Gp)：13 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF137 数据手册

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by MRF137/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF MOSFET Line  
N–Channel Enhancement–Mode  
. . . designed for wideband large–signal output and driver stages up to  
400 MHz range.  
•
Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance  
Output Power = 30 Watts  
Minimum Gain = 13 dB  
30 W, to 400 MHz  
N–CHANNEL MOS  
BROADBAND RF POWER  
FET  
Efficiency — 60% (Typical)  
•
•
Small–Signal and Large–Signal Characterization  
Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc, 30 W  
Output = 7.7 dB Gain  
•
100% Tested For Load Mismatch At All Phase Angles  
With 30:1 VSWR  
•
•
Low Noise Figure — 1.5 dB (Typ) at 1.0 A, 150 MHz  
Excellent Thermal Stability, Ideally Suited For Class A  
Operation  
D
•
Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation  
Techniques  
G
CASE 211–07, STYLE 2  
S
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
Drain–Gate Voltage  
V
DSS  
V
DGR  
65  
(R  
= 1.0 MΩ)  
GS  
Gate–Source Voltage  
V
±40  
Vdc  
Adc  
GS  
Drain Current — Continuous  
I
5.0  
D
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
100  
0.571  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.75  
°C/W  
θJC  
Handling and Packaging — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF1375 MOTOROLA

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 		RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
MRF13750H NXP

获取价格

 		RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V
MRF13750HS NXP

获取价格

 		RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V
MRF13750HSR5 NXP

获取价格

 		RF Power Bipolar Transistor
MRF138 ASI

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 		N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET
MRF138 NJSEMI

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 		Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 4-Pin
MRF14 HRS

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 		MRF14 Series Non-magnetic, High Durability Connector
MRF140 MOTOROLA

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 		N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
MRF140 TE

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 		N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
MRF140 MACOM

获取价格

 		The RF MOSFET Line 30W, to 400MHz, 28V

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