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MRF137

更新时间： 2024-09-17 10:47:35

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描述
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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MRF137 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF137 数据手册

MRF137

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE

The ASI MRF137 is a N-Channel

Enhancement MOSFET, Designed for

Wideband Large Signal Output and

Driver Stage Applications up to

400 MHz.

MAXIMUM RATINGS

5.0 A

65 V

I_D

V_DSS

P_DISS

T_J

100 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.75 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = DRAIN

2 = GATE

3 & 4 = SOURCE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

V_(BR)DSS

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_D= 10 mA

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

V_GS= 0 V

V_GS= 20 V

V_DS= 10 V

4.0

1.0

6.0

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

g_fs

µA

I_D= 25 mA

I_D= 500 mA

1.0

3.0

500

750

mmhos

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

_DS= 28 V

I_D= 1.0 A

f = 150 MHz

1.5

V_DD= 28 V

I_DQ= 25 mA

P_out= 30 W

G_ps

V_DD= 28 V

P_out= 30 W

f = 150 MHz

NO DEGRADATION IN OUTPUT POWER

I_DQ= 25 mA VSWR 30:1 @ ALL PHASE ANGLES

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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