Datasheet > MRF141G

MRF141G

更新时间： 2024-01-30 03:18:41

品牌	Logo	应用领域
泰科 - TE		晶体晶体管射频放大器局域网
页数	文件大小	规格书
9页	221K
描述
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF141G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	32 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF141G 数据手册

Order this document

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

by MRF141G/D

The RF MOSFET Line

RF Power Field-Effect Transistor

MRF141G

N–Channel Enhancement–Mode MOSFET

Designed for broadband commercial and military applications at frequencies

to 175 MHz. The high power, high gain and broadband performance of this

device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel

frequency bands.

•

Guaranteed Performance at 175 MHz, 28 V:

Output Power — 300 W

300 W, 28 V, 175 MHz

N–CHANNEL

BROADBAND

RF POWER MOSFET

Gain — 12 dB (14 dB Typ)

Efficiency — 50%

•

Low Thermal Resistance — 0.35°C/W

Ruggedness Tested at Rated Output Power

Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability

(

)

CASE 375–04, STYLE 2

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

DSS

DGO

Gate–Source Voltage

Drain Current — Continuous

±40

Total Device Dissipation @ T = 25°C

500

Watts

Derate above 25°C

2.85

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

–65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.35

°C/W

NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 3

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与MRF141G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF14-4J-CH	HRS	获取价格	CONN COAX 4POS JACK
MRF14-4P-CH	HRS	获取价格	CONN COAX 4POS PLUG
MRF148	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
MRF148	TE	获取价格	N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
MRF148	NJSEMI	获取价格	FET Transistor
MRF148A	TE	获取价格	Linear RF Power FET 30W, to 175MHz, 50V
MRF148A	ASI	获取价格	N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET
MRF148A	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 120V 6A 4-Pin Case 211-07
MRF148A	MACOM	获取价格	Linear RF Power MOSFET 30W, to 175MHz, 50V
MRF14-8J-CH	HRS	获取价格	CONN COAX 8POS JACK