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MRF134-39

更新时间： 2024-02-14 00:58:47

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1页	45K
描述
VHF POWER MOSFET

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MRF134-39 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	0.9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF134-39 数据手册

MRF134-39

VHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The ASI MRF134-39 is intended for

use in 28 VDC large signal

Applications, from 2.0 to 400 MHz.

PACKAGE STYLE TO-39

FEATURES INCLUDE:

• P_G= 14 dB Typical at 150 MHz

• Omnigold™ Metalization System

• Class-A or AB

MAXIMUM RATINGS

I_D

0.9 A

65 V

V_DSS

V_DGR

V_GS

P_DISS

T_J

65 V

±40 V

17.5 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

10 °C/W

1 = Drain 2 = Gate 3 = Source

COMMON SOURCE CONFIGURATION

BOTTOM VIEW

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_DSS

I_DSS

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_DS= 5.0 mA

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

µA

V_GS= 0 V

1.0

I_GSS

V_GS= 20 V

V_DS= 10 V

V_GS(th)

g_fs

I_D= 10 mA

I_D= 100 mA

1.0

.08

6.0

0.11

mho

C_iss

C_oss

C_rss

P_G

7.0

9.7

2.3

V_GS= 28 V

V_DS= 0 V

f = 1.0 MHz

V_DD= 28 V

P_IN= 0.39 W

I_DQ= 50 mA

V_DS= 28 V

P_out= 5.0 W

f = 150 MHz

η_D

I_D= 28 V

f = 150 MHz

2.0

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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