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MRF136

更新时间： 2024-11-14 22:45:59

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泰科 - TE		晶体晶体管射频放大器局域网
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11页	340K
描述
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET

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MRF136 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF136 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

by MRF136/D

The RF MOSFET Line

Designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up to

400 MHz range, in single ended configuration.

•

Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance

Output Power = 15 Watts

Narrowband Gain = 16 dB (Typ)

Efficiency = 60% (Typical)

15 W, to 400 MHz

N–CHANNEL

MOS BROADBAND

RF POWER FET

•

Small–Signal and Large–Signal

Characterization

100% Tested For Load

Mismatch At All Phase

Angles With 30:1 VSWR

•

Excellent Thermal Stability,

Ideally Suited For Class A

Operation

CASE 211–07, STYLE 2

Facilitates Manual Gain

Control, ALC and

Modulation Techniques

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage (R

Gate–Source Voltage

DSS

= 1.0 MΩ)

DGR

±40

2.5

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

0.314

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

–65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

3.2

°C/W

θJC

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 7

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF136Y	TE	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
MRF136Y	MACOM	获取价格	The RF MOSFET Line 30W, to 400MHz, 28V
MRF136Y	NJSEMI	获取价格	Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 5-Pin Case 319B-02
MRF137	ASI	获取价格	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MRF137	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
MRF137	TE	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
MRF137	MACOM	获取价格	The RF MOSFET Line 30W, to 400MHz, 28V
MRF1375	MOTOROLA	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
MRF13750H	NXP	获取价格	RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V
MRF13750HS	NXP	获取价格	RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V