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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPSW56RLRA
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MPSW56RLRA

更新时间： 2024-11-26 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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MPSW56RLRA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.2Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：15 pF
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：2.5 W
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

MPSW56RLRA 数据手册

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by MPSW55/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
*Motorola Preferred Device  
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol MPSW55 MPSW56  
Unit  
Vdc  
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–60  
–60  
–80  
–80  
Vdc  
–4.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
MPSW55  
MPSW56  
–60  
–80  
—
—
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
–4.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= –40 Vdc, I = 0)  
MPSW55  
MPSW56  
—
—
–0.5  
–0.5  
B
= –60 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –40 Vdc, I = 0)  
MPSW55  
MPSW56  
—
—
–0.1  
–0.1  
E
= –60 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
–0.1  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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与MPSW56RLRA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSW56RLRAG ONSEMI

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 		1.0 W PNP Bipolar Transistor, TO-92 (TO-226) 1 WATT, 2000-REEL
MPSW56RLRAG ROCHESTER

获取价格

 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
MPSW56RLRE ONSEMI

获取价格

 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
MPSW56RLRF MOTOROLA

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 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW56RLRP ONSEMI

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 		One Watt Amplifier Transistors
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 		One Watt Darlington Transistors(PNP Silicon)

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