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MPSW63RLRE

更新时间： 2024-11-26 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
TRANSISTOR 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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MPSW63RLRE 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.46
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzBase Number Matches：1

MPSW63RLRE 数据手册

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ON Semiconductort  
MPSW63  
MPSW64  
One Watt Darlington  
Transistors  
PNP Silicon  
*
*ON Semiconductor Preferred Device  
w These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein  
apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at  
www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or  
contact your local ON Semiconductor sales office or representative.  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
3
MPSW63  
MPSW64  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
V
−30  
CES  
CBO  
EBO  
CASE 29−10, STYLE 1  
TO−92 (TO−226AE)  
V
V
−30  
Vdc  
−10  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
−500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
COLLECTOR 3  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
BASE  
2
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
EMITTER 1  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
q
JA  
R
q
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
V
−30  
—
—
Vdc  
nAdc  
nAdc  
(BR)CES  
(I = −100 μAdc, V = 0)  
C
BE  
Collector Cutoff Current  
(V = −30 Vdc, I = 0)  
I
−100  
−100  
CBO  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = −10 Vdc, I = 0)  
I
—
EBO  
EB  
C
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 3  
MPSW63/D  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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