MPSW63G

更新时间： 2024-11-26 12:48:51

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	96K
描述
One Watt Darlington Transistors

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MPSW63G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

MPSW63G 数据手册

ON Semiconductort

MPSW63

MPSW64

One Watt Darlington

Transistors

PNP Silicon

*ON Semiconductor Preferred Device

w These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein

apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at

www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or

contact your local ON Semiconductor sales office or representative.

MAXIMUM RATINGS

MPSW63

MPSW64

Rating

Collector−Emitter Voltage

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Symbol

Unit

Vdc

−30

CES

CBO

EBO

CASE 29−10, STYLE 1

TO−92 (TO−226AE)

−30

Vdc

−10

Vdc

Collector Current — Continuous

−500

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.0

8.0

Watt

mW/°C

COLLECTOR 3

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

2.5

Watts

mW/°C

BASE

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

−55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

125

Unit

°C/W

EMITTER 1

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Max

Unit

Collector−Emitter Breakdown Voltage

−30

—

Vdc

nAdc

(BR)CES

(I = −100 μAdc, V = 0)

Collector Cutoff Current

(V = −30 Vdc, I = 0)

−100

CBO

Emitter Cutoff Current

(V = −10 Vdc, I = 0)

—

EBO

Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.

Publication Order Number:

March, 2006 − Rev. 3

MPSW63/D

12 3 4

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MPSW63G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5769	CENTRAL	功能相似	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)

与MPSW63G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSW63RL	MOTOROLA	获取价格	500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW63RL1	MOTOROLA	获取价格	500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW63RLRA	ONSEMI	获取价格	500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
MPSW63RLRAG	ONSEMI	获取价格	小信号达林顿 PNP
MPSW63RLRB	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPSW63RLRE	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPSW63RLRE	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN, BIP
MPSW63RLRF	MOTOROLA	获取价格	500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW63RLRM	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPSW63RLRP	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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