5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPSW56RL
MPSW56RL PDF预览

MPSW56RL

更新时间： 2024-09-18 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

阅读下载

中文翻译

获取价格

MPSW56RL 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.46
Is Samacsys：N其他特性：EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：15 pF
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：2.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

MPSW56RL 数据手册

 浏览型号MPSW56RL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPSW56RL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MPSW56RL的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by MPSW55/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
*Motorola Preferred Device  
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol MPSW55 MPSW56  
Unit  
Vdc  
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–60  
–60  
–80  
–80  
Vdc  
–4.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
MPSW55  
MPSW56  
–60  
–80  
—
—
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
–4.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= –40 Vdc, I = 0)  
MPSW55  
MPSW56  
—
—
–0.5  
–0.5  
B
= –60 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –40 Vdc, I = 0)  
MPSW55  
MPSW56  
—
—
–0.1  
–0.1  
E
= –60 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
–0.1  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

中文翻译

下载PDF

与MPSW56RL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSW56RL1 MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW56RLRA MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW56RLRA ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
MPSW56RLRAG ONSEMI

获取价格

 		1.0 W PNP Bipolar Transistor, TO-92 (TO-226) 1 WATT, 2000-REEL
MPSW56RLRAG ROCHESTER

获取价格

 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
MPSW56RLRE ONSEMI

获取价格

 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
MPSW56RLRF MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW56RLRP ONSEMI

获取价格

 		One Watt Amplifier Transistors
MPSW56RLRP MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW56RLRPG ONSEMI

获取价格

 		One Watt Amplifier Transistors

与MPSW56RL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证