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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-74 |
| 包装说明： | R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.86 |
| Is Samacsys： | N | 最大击穿电压： | 7.14 V |
| 最小击穿电压： | 6.46 V | 配置： | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 150 W |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 最大重复峰值反向电压： | 4.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMQA6V8T1G | ROCHESTER |
获取价格 |
150 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318F-05, SC |
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| MMQA6V8T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressors for ESD Protection |
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| MMQA6V8T3 | ONSEMI |
获取价格 |
SC-74 Quad Monolithic Common Anode |
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| MMQA6V8T3 | MOTOROLA |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, Unidirectional, 4 Element, Silicon, PLASTIC, SC-59, |
|
| MMQA6V8T3G | ONSEMI |
获取价格 |
150W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318F-05, SC- |
|
| MMQA-D | ONSEMI |
获取价格 |
SC-74 Quad Monolithic Common Anode |
|
| MMQM-67005L-30/883 | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC68, |
|
| MMQM-67005L-35 | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC68, |
|
| MMQM67005L35CB | TEMIC |
获取价格 |
Memory IC, |
|
| MMQM-67005L-45 | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC68, |
|
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