是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SC-59 | 包装说明: | R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.86 | Is Samacsys: | N |
最大击穿电压: | 7.14 V | 最小击穿电压: | 6.46 V |
击穿电压标称值: | 6.8 V | 最大钳位电压: | 9.8 V |
配置: | COMMON ANODE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 150 W |
元件数量: | 4 | 端子数量: | 6 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMQA6V8T3G | ONSEMI |
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150W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318F-05, SC- | |
MMQA-D | ONSEMI |
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SC-74 Quad Monolithic Common Anode | |
MMQM-67005L-30/883 | TEMIC |
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Multi-Port SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC68, | |
MMQM-67005L-35 | TEMIC |
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Multi-Port SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC68, | |
MMQM67005L35CB | TEMIC |
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Memory IC, | |
MMQM-67005L-45 | TEMIC |
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Multi-Port SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC68, | |
MMQM-67005L-55 | TEMIC |
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Multi-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC68, | |
MMQM-67005L-55/883 | TEMIC |
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Multi-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC68, | |
MMQM-67005V-30/883 | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, CQCC68, | |
MMQM-67005V-30CB | TEMIC |
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Memory IC, |